型号 | R8002ANX |
厂商 | Rohm Semiconductor |
描述 | MOSFET N-CH 800V 2A TO-220FM |
R8002ANX PDF | ![]() |
代理商 | R8002ANX |
标准包装 | 500 |
FET 型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点 | 标准 |
漏极至源极电压(Vdss) | 800V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 2A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 4.3 欧姆 @ 1A,10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | 5V @ 1mA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 12.7nC @ 10V |
输入电容 (Ciss) @ Vds | 210pF @ 25V |
功率 - 最大 | 35W |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
供应商设备封装 | TO-220FM |
包装 | 散装 |